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汇总常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术
MOSFET以及IGBT绝缘栅双极性大功率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构，直流电不能通过，因而低频的表态驱动功率接近于零。但是栅极和源极之间构成了一个栅极电容Cgs，因而在高频率的交替开通和需要关断时需要一定的动态驱动功率。本文汇总了一些常用IGBT及MOSFET器件隔离驱动技术，给大家分享分享！
2014-03-04
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LTE 发射机 ACLR 性能的测量技术
现代无线服务提供商正致力于不断扩大带宽，为更多用户提供互联网协议（IP）服务。长期演进技术（LTE）是对当前部署的 3GPP 网络进行增强并创造更多更重要应用的新一代蜂窝技术。LTE 的体系结构复杂同时还在不断演进当中，这为网络和用户设备的设计与测试带来了新的挑战。其中，在空中接口上的一个关键挑战就是如何在信号传输过程中进行功率管理。
2013-09-26
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Diodes直流-直流转换器，有效节省LED照明元件成本和空间
Diodes公司为LED照明及通用功率管理应用，推出支持升、降压和电压反向电路拓扑的微型直流-直流转换器。AL8811采用3.0mm x 4.9mm x 1.1mm MSOP-8L封装，只需少量外部元件，就能有效减少电路占位面积及物料清单成本。
2013-07-24
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充分发挥MOSFET优点的电机保护电路设计
如何设计出可靠和合理的驱动与保护电路，对于充分发挥MOSFET功率管的优点，起着至关重要的作用，也是有效利用MOSFET管的前提和关键。文中用IR2130驱动模块为核心，设计了功率MOSFET驱动保护电路应用与无刷直流电机控制系统中，同时也阐述了本电路各个部分的设计要求。该设计使系统功率驱动部分的可靠性大大的提高。
2013-03-16
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如何检修步进电机驱动器
维修人员在检查步进电机驱动器时，发现一功率管已损坏，但由于没有资料，弄不清该管的作用，所以在这里介绍下检修步进电机驱动器烧MOS管的原因。
2013-03-08
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一种WEDM用双管正激交错并联结构的DC/DC变换器设计
本文讨论了一种WEDM用双管正激交错并联结构的DC/DC变换器设计方案，其采用并联结构，功率管工作在同样频率下，但输出电压频率提高了一倍。
2013-01-09
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呼吸式功率管理，减低损耗很有效
由于通信电源和UPS初始容量设计时，同时考虑了最大负载、蓄电池充电容量和备份容量，导致了实际运行负载往往处于轻载和超轻载状态，这种状态下，电源转换设备的效率往往较低，因此增加了自身的损耗。“呼吸式”功率管理通过跟踪负载的变化，控制功率模块的开通与休眠，使系统尽量在最佳效率点附近进行工作。
2012-12-26
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电子负载仪简介
电子负载，顾名思义，是用电子器件实现的“负载”功能，其输出端口符合欧姆定律。具体地说，电子负载是通过控制内部功率器件MOSFET或晶体管的导通量，使功率管耗散功率，消耗电能的设备。
2012-11-30
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采用多管并联和能量回馈技术的单端反激电路在低压供电的逆变电源中的应用
目前，由电池供电的逆变电源一般由两级组成，前级DC/DC电路将电池电压变换成直流约350V电压，后级DC/AC电路将直流350V电压变换为交流220V电压。在这类逆变电源中，输入电流较大，功率管导通压降高，损耗大，电源效率很难提高。对于中小功率而言，单端反激电路具有一定优势，本文就采用多管并联和能量回馈技术的单端反激电路在低压供电的逆变电源中的应用做一些探讨。
2012-11-12
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80W甲类功率放大器的设计
这部功放的输入级是一对场效应管，优点是输入阻抗高，动态范围大和噪声低。输入级还加有高频滤波网络，以便将一些不必要的高频噪音滤掉，提高信噪比。现今大功率功放使用的电源电压都比较高，输出管驱动电流也比较大，推动级的功耗相当可观。这也就是高级功放的推动级选用中功率及大功率管井加散热器的原因。
2012-10-25
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HiFi功率放大器设计BOM
这个简单的低成功率放大器。可以5种方法完成，就像图表中所指示的（从20W到80W RMS ）。首先要作的是测试末极功率管的放大系数hfe or β.如果差异大于30％，放大器将不会提供一个清晰的声音，使用MJ3001和 MJ2501晶体管，他们的差异在5％。
2012-10-24
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Microsemi提供用于极端温度环境的FPGA和cSoC产品
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司宣布，其现场可编程门阵列(FPGA) 和SmartFusion®可定制系统级芯片(SoC) 解决方案现已具备在150至200摄氏度下工作的极端工作温度范围特征，这些器件已经部署在向下钻探(down-hole drilling)产品、航天系统、航空电子设备，以及其它要求在极端低温和高温环境中提供高性能和最大可靠性的应用中。
2012-06-21
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